自動比表面積・細孔分布測定装置 TriStar® Ⅱ シリーズ

製品概要

品質管理から研究開発まで最適な装置

この製品は、株式会社島津製作所の取扱製品です。
島津製作所へのリンク

TriStar® Ⅱ シリーズは、3ポート独立同時測定することにより、比表面積・細孔分布測定の処理量を飛躍的にアップさせる事が可能なシステムです。
標準形モデルに加え、クリプトン対応形モデルもご用意しています。
この場合クリプトンガスを用いることによって、0.001m2/gまでの低比表面積測定が可能となり、電池材料、医薬品や繊維などの比表面積測定に威力を発揮します。また、インタラクティブなレポートと解析が可能な最新設計のソフトウエアMicroActiveを採用しています。

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データ
前処理装置
仕様

特長

クリプトンガスを使用して0.001m2/g までの低比表面積の高精度測定を実現
3つの測定ポートでの独立同時測定機能を搭載
試料セルは使いやすい大きさ（外径9.5mm）
30時間の連続無人運転が可能
測定の目的や、要求精度に応じて多彩な測定モードを選択可能
TriStar® Ⅱ Plus は、ステンレスマニホールドを採用
TriStar® Ⅱ Plus は、インタラクティブなレポートと解析が可能なソフトウエアMicroActive を搭載し、CO2とN2ガス吸着等温線からDual DFT 解析によるマイクロポアの測定が可能

全体の写真

TriStar Ⅱ
TriStar Ⅱ PLUS

データ

BET比表面積を同時に測定したデータ: 左の図は、三つの異なる材料を同時に測定したデータを重ね合わせしたBET-プロットグラフです。それぞれの比表面積は200m2/gのシリカアルミナ（赤）、50m2/gのシリカゲル（緑）及び200m2/gのチタニア（青）です。BET-プロットからTriStarの汎用性を立証しています。

測定中のデータ表示: 左の図は、TriStarIIの測定中の画面です。TriStarの本体に内蔵マイクロプロセッサを備えているため、測定中でも操作が可能です。ユーザーフレンドリーなWindowsソフトウェアは、ユーザーがワークステーションより装置を制御することができ、測定の進行状況を監視し、実験の結果を表示します。

様々なデータを重ね合わせ表示: 左の図は、Dollmore-Heal法の吸着による細孔容積の累積グラフです。複数のサンプルの細孔容積および細孔分布は、様々な材料の間の違いを示すために重ね合わせができます。

インタラクティブなレポートと解析が可能な最新設計のソフトウエア MicroActive（TriStar® Ⅱ Plusのみ）: 左の図は、TriStarⅡの測定中の画面です。TriStarの本体に内蔵マイクロプロセッサを備えているため、測定中でも操作が可能です。ユーザーフレンドリーなWindowsソフトウェアは、ユーザーがワークステーションより装置を制御することができ、測定の進行状況を監視し、実験の結果を表示します。

ガス吸着法と水銀圧入法のデータオーバーレイ機能 （TriStar® Ⅱ Plusのみ）: TriStarr® Ⅱ Plus用MicroActiveソフトウエアにより、ユーザーはガス吸着等温線から計算された細孔径分布を水銀圧入孔径分布と重ねることができます。この新しいインポート機能は、ユーザーが簡単にマイクロ孔、メソ孔とマクロ孔の分布を表示することができます。

デュアルDFTモデル（TriStar® Ⅱ Plusのみ）: デュアルDFTモデルは、マイクロ孔が存在する材料（例えば、炭素スリット孔など）においてN2及びCO2の2つの吸着等温線から収集した情報を組み合わせし、全細孔径分布を提供することができます。この方法で細孔分析の範囲は、標準的な窒素分析と比較してより小さい孔径に拡張されます。これはサイズの制限により、CO2はN2に比べより小さい細孔に進入でき、または液体N2温度での遅い拡散による問題を解決します。

マイクロレポート記事：
BET比表面積のデータポイントを自動最適化（英文）

前処理装置

TriStar シリーズを用いて比表面積を測定する場合には、別置の試料前処理装置が必要になります。

試料前処理装置は、試料表面や細孔内に付着している水分などを除去するためのものです。
前処理の良否が比表面積の測定結果に大きな影響を与える場合があります。
試料前処理装置は、以下の3機種が使用できます。

	FlowPrep060
外観
前処理方式	加熱ガスフロー方式
前処理ステージ数	6個（温度共通）
温度範囲	室温～400℃
温度精度	±5℃
使用ガス	窒素、ヘリウム、アルゴン他の不活性化ガス
コンピュータ制御	不可
昇温・保持サイクル
昇温速度
保持時間
使用環境温度	動作時 10～35℃ 非動作時0～50℃
大きさ・重さ	43cm（H）×36cm（W）×30cm（D）約8.5kg
所要電源	100/120/220/240V AC±10％, 50/60Hz 最大200VA

	VacPrep061
外観
前処理方式	加熱ガスフロー方式加熱真空排気方式（選択可能）
前処理ステージ数	6個（温度共通）
温度範囲	室温～400℃
温度精度	±5℃
使用ガス	窒素、ヘリウム、アルゴン他の不活性化ガス
コンピュータ制御	不可
昇温・保持サイクル
昇温速度
保持時間
使用環境温度	動作時 10～35℃ 非動作時0～50℃
大きさ・重さ	3cm（H）×36cm（W）×30cm（D）約10kg
所要電源	100/120/220/240V AC±10％, 50/60Hz 最大200VA

	SmartPrep065
外観
前処理方式	加熱ガスフロー方式
前処理ステージ数	6個（独立温度設定可能）
温度範囲	室温～425℃
温度精度	±10℃
使用ガス	窒素、ヘリウム、アルゴン他の不活性化ガス
コンピュータ制御	可能 ASAP2460ソフトウェアによる制御、もしくはスタンドアロンソフトウェアによる
昇温・保持サイクル	最大5サイクルまで
昇温速度	5～20℃/min
保持時間	最大999min設定は1minきざみ
使用環境温度	動作時 10～35℃ 非動作時0～50℃
大きさ・重さ	50cm（H）×50cm（W）×40cm（D）　約15kg
所要電源	85～265V AC±10％, 50/60Hz 最大500VA

	FlowPrep060	VacPrep061	SmartPrep065
外観
前処理方式	加熱ガスフロー方式	加熱ガスフロー方式加熱真空排気方式（選択可能）	加熱ガスフロー方式
前処理ステージ数	6個（温度共通）		6個（独立温度設定可能）
温度範囲	室温～400℃		室温～425℃
温度精度	±5℃		±10℃
使用ガス	窒素、ヘリウム、アルゴン他の不活性化ガス
コンピュータ制御	不可		可能 ASAP2460ソフトウェアによる制御、もしくはスタンドアロンソフトウェアによる
昇温・保持サイクル			最大5サイクルまで
昇温速度			5～20℃/min
保持時間			最大999min設定は1minきざみ
使用環境温度	動作時 10～35℃ 非動作時0～50℃
大きさ・重さ	43cm（H）×36cm（W）×30cm（D）約8.5kg	3cm（H）×36cm（W）×30cm（D）約10kg	50cm（H）×50cm（W）×40cm（D）約15kg
所要電源	100/120/220/240V AC±10％, 50/60Hz 最大200VA		85～265V AC±10％, 50/60Hz 最大500VA

スペック

		TriStar Ⅱ
		標準形	クリプトン対応形
測定方式		定容法によるガス吸着法
処理能力測定部		3ポート
測定範囲	比表面積	窒素使用時　0.01m2/g 以上
	比表面積	-	クリプトン使用時 0.001m2/g以上
	メソポア分布	直径約1～300nm（10～3000Å）
	マイクロポア分布	-
物理吸着測定機能	使用ガス	窒素、アルゴンなど	窒素、クリプトン、アルゴンなど
	使用セル	丸型フラスコ型、球部内容積　約5cm3
	液体窒素系	液面制御：等温ジャケット方式　デュワーびん容量：2.75L　持続時間：約30時間
マニホールド温度測定		精度：0.25℃　分解能：0.1℃
マニホールド材質		アルミ
ソフトウエア MicroActive		非搭載
測定部圧力計		127KPa(950mmHg)×5個、精度±0.5%、分解能6.65Pa（0.05mmHg）	133.3KPa(1000mmHg)×5-9個、精度±0.15%、分解能1.333Pa（0.01mmHg） 1.333KPa(10mmHg)×1個、精度±0.25%、分解能0.01333Pa（0.0001mmHg）
排気系	ポンプ形式	2段ロータリポンプ	ターボ分子ポンプ + ダイアフラムポンプ
排気系	到達真空度	0.67Pa (5×10-3mmHg)	5.07×10-7Pa (3.8×10-9mmHg)
コンピュータ		Windows搭載パソコンシステム(Windows7 32bitプロフェッショナル)
所要電源		本体：100/120、220/240V AC±10%、50/60Hz、150VA コンピュータ関係：100 V AC、5A、50/60Hz
使用環境		温度：動作時10～30℃　非動作時-10～55℃ 湿度（相対湿度）20～80%、結露しないこと
大きさ・重さ		747cm（H）×40ｃｍ（W）×51ｃｍ（D）、37kg （コンピュータ関係を除く)

		TriStar Ⅱ Plus
		標準形	クリプトン対応形
測定方式		定容法によるガス吸着法
処理能力測定部		3ポート
測定範囲	比表面積	窒素使用時　0.01m2/g以上
	比表面積	-	クリプトン使用時 0.001m2/g以上
	メソポア分布	直径約1～300nm（10～3000Å）
	マイクロポア分布	直径約：0.4～2nm（CO2ガスによるDFT法）
物理吸着測定機能	使用ガス	窒素、アルゴン、二酸化炭素など	窒素、クリプトン、アルゴン、酸化炭素など
	使用セル	丸型フラスコ型、球部内容積　約5cm3
	液体窒素系	液面制御：等温ジャケット方式　デュワーびん容量：2.75L　持続時間：約30時間
マニホールド温度測定		精度：0.25℃　分解能：0.1℃
マニホールド材質		ステンレス
ソフトウエア MicroActive		搭載
測定部圧力計		127KPa(950mmHg)×5個、精度±0.5%、分解能6.65Pa（0.05mmHg）	127KPa(950mmHg)×5個、精度±0.5%、分解能6.65Pa（0.05mmHg） 1.333KPa(10mmHg)×1個、精度±0.25%、分解能0.01333Pa（0.0001mmHg）
排気系	ポンプ形式	2段ロータリポンプ	ターボ分子ポンプ + ダイアフラムポンプ
排気系	到達真空度	0.67Pa (5×10-3mmHg)	5.07×10-7Pa (3.8×10-9mmHg)
コンピュータ		Windows搭載パソコンシステム(Windows7 32bitプロフェッショナル)
所要電源		本体：100/120、220/240V AC±10%、50/60Hz、150VA コンピュータ関係：100 V AC、5A、50/60Hz
使用環境		温度：動作時10～30℃　非動作時-10～55℃ 湿度（相対湿度）20～80%、結露しないこと
大きさ・重さ		747cm（H）×40ｃｍ（W）×51ｃｍ（D）、37kg （コンピュータ関係を除く)

		TriStar II		TriStar II Plus
		標準形	クリプトン対応形	標準形	クリプトン対応形
測定方式		定容法によるガス吸着法
処理能力測定部		3ポート
測定範囲	比表面積	窒素使用時　0.01m2/g以上
	比表面積	-	クリプトン使用時 0.001m2/g以上	-	クリプトン使用時 0.001m2/g以上
	メソポア分布	直径約1～300nm（10～3000Å）
	マイクロポア分布	-		直径約：0.4～2nm（CO2ガスによるDFT法）
物理吸着測定機能	使用ガス	窒素、アルゴンなど	窒素、クリプトン、アルゴンなど	窒素、アルゴン、二酸化炭素など	窒素、クリプトン、アルゴン、酸化炭素など
	使用セル	丸型フラスコ型、球部内容積　約5cm3
	液体窒素系	液面制御：等温ジャケット方式　デュワーびん容量：2.75L　持続時間：約30時間
マニホールド温度測定		精度：0.25℃　分解能：0.1℃
マニホールド材質		アルミ		ステンレス
ソフトウエア MicroActive		非搭載		搭載
測定部圧力計		127KPa(950mmHg)×5個、精度±0.5%、分解能6.65Pa（0.05mmHg）	133.3KPa(1000mmHg)×5-9個、精度±0.15%、分解能1.333Pa（0.01mmHg） 1.333KPa(10mmHg)×1個、精度±0.25%、分解能0.01333Pa（0.0001mmHg）	127KPa(950mmHg)×5個、精度±0.5%、分解能6.65Pa（0.05mmHg）	127KPa(950mmHg)×5個、精度±0.5%、分解能6.65Pa（0.05mmHg） 1.333KPa(10mmHg)×1個、精度±0.25%、分解能0.01333Pa（0.0001mmHg）
排気系	ポンプ形式	2段ロータリポンプ	ターボ分子ポンプ + ダイアフラムポンプ	2段ロータリポンプ	ターボ分子ポンプ + ダイアフラムポンプ
排気系	到達真空度	0.67Pa (5×10-3mmHg)	5.07×10-7Pa (3.8×10-9mmHg)	0.67Pa (5×10-3mmHg)	5.07×10-7Pa (3.8×10-9mmHg)
コンピュータ		Windows搭載パソコンシステム(Windows7 32bitプロフェッショナル)
所要電源		本体：100/120、220/240V AC±10%、50/60Hz、150VA コンピュータ関係：100 V AC、5A、50/60Hz
使用環境		温度：動作時10～30℃　非動作時-10～55℃ 湿度（相対湿度）20～80%、結露しないこと
大きさ・重さ		747cm（H）×40ｃｍ（W）×51ｃｍ（D）、37kg （コンピュータ関係を除く)

解析項目

多点法・1点法BET 比表面積
Langmuir比表面積
BJH 法によるメソポア細孔分布
t-プロット、αsプロット法によるマイクロポア解析
MP法によるマイクロポア細孔分布
DR/DA法によるマイクロポア細孔分布
Freundlich式、Temkin式等温線解析
f-Ratioプロットによる等温線比較
DFT法による細孔分布

※外観および仕様は改良のため、予告なく変更することがあります。

自動比表面積・細孔分布測定装置 TriStar® Ⅱ シリーズ

製品概要

特長

データ

前処理装置

スペック

ガス吸着装置ラインナップ